- Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
- Corriente de colector constante 200m A (Ic)
- Potencia total disipada 625mW (Pd)
- Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
- Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
- Encapsulado TO-92
- Estructura NPN
- Tipo de transistor: JFET
- Voltaje de ruptura Vbr: -30V
- Corriente de drenaje Idss máxima, tensión de puerta nula: 15 mA
- Tensión de ruptura Vgs(off) máxima: -6 V
- Disipación de potencia Pd: 360 mW
- Encapsulado: TO-92
- 3 pines
- Polaridad (N-P-N)
- Transistor amplificador de potencia de audio
- Corriente máxima de colector (Ic) 15 Ampere
- De colector a base (CBO) 100 Voltios
- De colector a emisor (CEO) 60 Voltios
- De emisor a base (EBO) 7 Voltios
- Ganancia típica de la corriente directa (hfe) 45
- Máxima disipación de potencia en colector (Pd) 115 (Watts)
- Tensión inversa emisor máxima 30 V.
- Voltaje base a base máxima 35 V (VBB).
- Corriente de pico de emisor máxima 2 A.
- Corriente eficaz de emisor máxima 50 mA.
- Resistencia entre bases 4,7 – 9,1 KΩ (RBB).
- Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
- Corriente de colector constante 800mA (Ic)
- Potencia total disipada 500mW(Pd)
- Ganancia o hfe 35 mínima
- Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
- Encapsulado de metal TO-18
- Estructura NPN
Transistor BJT tipo NPN de 60 V a 0.8 A Ic.
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