Tensión inversa emisor máxima 30 V.
Voltaje base a base máxima 35 V (VBB).
Corriente de pico de emisor máxima 2 A.
Corriente eficaz de emisor máxima 50 mA.
Resistencia entre bases 4,7 – 9,1 KΩ (RBB).
Tipo de transistor: JFET
Voltaje de ruptura Vbr: -30V
Corriente de drenaje Idss máxima, tensión de puerta nula: 15 mA
Tensión de ruptura Vgs(off) máxima: -6 V
Disipación de potencia Pd: 360 mW
Encapsulado: TO-92
3 pines
