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2N3906 TRANSISTOR PNP

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  • Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
  • Corriente de colector constante 200m A (Ic)
  • Potencia total disipada 625mW (Pd)
  • Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
  • Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
  • Encapsulado TO-92
  • Estructura PNP
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Descripción

tación y la amplificación.

  • Tensión del emisor del colector (Vce) de -40V
  • Corriente continua de colector (Ic) de -200mA
  • Disipación de potencia de 625mW
  • Rango de temperaturas de la junta de funcionamiento de -55 ° C a 150 ° C
  • El voltaje de saturación del emisor del colector es menor que 400mV a Ic = 10mA
  • La ganancia de corriente continua es mayor que 30 en Ic = 100mA
  • Aplicaciones: Procesado de señal, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica de consumo, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje colector base VCBO: -40 V
  • Voltaje de colector emisor VCEO: -40 V
  • Voltaje emisor base VEBO: -5 V
  • Frecuencia de transición ft: 250 MHz
  • Disipación de potencia Pd: 625 mW
  • Corriente del colector DC: -100 mA
  • Ganancia de corriente DC hFE: 100 hFE
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-92
  • 3 pines
  • Modelo: CC14 +