Descripción
Es un transistor compuesto por silicio, en su composición posee una placa de semiconductor con tres regiones consecutivas de diferente conductibilidad eléctrica los cuales forman dos uniones p-n-p, las dos regiones extremas tienen un mismo tipo de conductibilidad, la intermedia, conductibilidad de otro tipo, estas son llamadas emisor, colector y base.
BC557 Transistor BJT PNP -45V / -100mA TO-92, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 500mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 100mA o que requieran tensiones de hasta 45VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificación (hFE) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 110 y los 800.
