IRF830
IRF830 TRANSISTOR MOSFET DE 500V 4.5A
Categoría: Transistores
$1.00
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Descripción
504 Gateway Time-out
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Tipo de transistor: JFET
Voltaje de ruptura Vbr: -30V
Corriente de drenaje Idss máxima, tensión de puerta nula: 15 mA
Tensión de ruptura Vgs(off) máxima: -6 V
Disipación de potencia Pd: 360 mW
Encapsulado: TO-92
3 pines
$1.00
Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
Corriente de colector constante 800mA (Ic)
Potencia total disipada 500mW(Pd)
Ganancia o hfe 35 mínima
Frecuencia de trabajo 250 Mhz (Ft)
Encapsulado de metal TO-18
Estructura NPN
$0.10
Voltaje colector emisor en corte 40 V (Vceo)
Corriente de colector constante 200m A (Ic)
Potencia total disipada 625mW (Pd)
Ganancia o hfe entre 30 -300 (hfe)
Frecuencia de trabajo 300 Mhz (Ft)
Encapsulado TO-92
Estructura NPN
$0.10