Descripción
Descripción
El transistor IRF830 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRF830PBF es un MOSFET de SMPS de N-canal de 500V con carga de puerta baja Qg resulta en requisito de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con una aplicación de conmutación fuerte. Apto para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de energía de alta velocidad.
- Evaluación dinámica dv / dt
- Avalancha repetitiva
- 150 ° C Temperatura de funcionamiento
- Fácil de paralelo
- Requisito de unidad simple
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Related products
Selecciona al menos 2 productos
para comparar