BS170

Descripción

Los transistores de efecto de campo del modo de mejora del canal N BS170 se producen utilizando la tecnología DMOS patentada de alta densidad celular de Fairchild. Estos productos han sido diseñados para minimizar la resistencia en el estado al tiempo que proporcionan un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido. Se pueden usar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 500 mA DC. Estos productos son particularmente adecuados para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como control de servomotor pequeño, controladores de puerta MOSFET de potencia, etc, y otras aplicaciones de conmutación.