Descripción
Voltaje colector emisor en corte 30V (Vceo). Voltaje colector emisor en saturación 30V (Vces). Voltaje emisor base en corte 5V (Vebo). Corriente de colector constante 100mA (Ic). Potencia total disipada 500mW(Pd). Encapsulado de plástico TO-92. Su par complementario PNP es el Transistor BC558.
Descripción
Transistor de silicio epitexial de 30 V con polaridad NPN diseñado para su uso como interruptor y amplificador. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Complemento BC556, BC557, BC558, BC559 y BC560A
- 30V Voltaje del colector (VCBO)
- 6V Voltaje de base del emisor (VEBO)
- Aplicaciones: Propósito general, conmutación, amplificador
Información Básica
- Polaridad del transistor: NPN
- Voltaje colector-emisor VCEO: 30 V
- Voltaje colector-base VCBO: 30 V
- Voltaje emisor-base VEBO: 6 V
- Corriente del colector DC Ic: 100 mA
- Disipación de potencia Pc (Tc=25°C): 1.5 W
- Transición de frecuencia ft: 300 MHz
- Ganancia de corriente hFE: 110 hFE
- Temperatura de operación mínima: -55°C
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado: TO-92
- 3 pines
- Modelo: CC18 +
