2N3819 TRANSISTOR FET PEQUENIA SENIAL CH-N 25 V 20 MA

El transistor BS170_D75Z de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El BS170_D75Z es un mosfet diseñado para minimizar la resistencia y proporciona un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido, pudiendo ser utilizado en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 500 mA de CC. Este mosfet es  adecuados para baja tensión en aplicaciones como control del servomotor, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutaciones.

• Diseño de celda de alta densidad para baja RDS (ENCENDIDO)
• Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
• Robusto y confiable
• Alta capacidad de corriente de saturación
• Aplicaciones: Control del servomotor, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutaciones

Información Básica

• Polaridad del transistor: Canal-N
• Voltaje de drenaje a fuente VDSS: 60 V
• Voltaje de  compuerta a fuente VGSS: ± 20 V
• Corriente continua drenaje ID: 500 mA
• Corriente pulso máxima IDP: 800 mA
• Disipación  total Pf (Ta=25°C): 300.m W
• Temperatura de operación mínima: -55°C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-92
• 3 pines